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Si1021R
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
1.0
1200
V GS = 10 V
7 V
T J = - 55 °C
0. 8
0.6
8V
6 V
900
25 °C
125 °C
600
0.4
5 V
300
0.2
4 V
0.0
0
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
20
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
V GS = 0 V
16
12
8
V GS = 4.5 V
V GS = 5 V
32
24
16
C iss
C oss
4
0
V GS = 10 V
8
0
C rss
0
200
400
600
8 00
1000
0
5
10
15
20
25
15
I D - Drain C u rrent (mA)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
12
9
I D = 500 mA
V DS = 30 V
V DS = 4 8 V
1.5
1.2
0.9
V GS = 10 V at 500 mA
V GS = 4.5 V at 25 mA
6
0.6
3
0
0.3
0.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1. 8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 71410
S10-2687-Rev. F, 22-Nov-10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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